SSM3J132TU,LF, MOSFET Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SSM3J132TU,LF
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзисторы U-MOSVI с малым сигналомМОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI с малым сигналом предлагают различные напряжения управления затвором, необходимые для многих различных типов мобильных устройств. Они доступны в одноканальном, двухканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и в версиях с различным напряжением, предоставляя разработчикам широкий спектр возможностей. Каждый полевой МОП-транзистор удовлетворяет потребности в поддержке...
Основные
вес, г0.01
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Toshiba
maximum operating temperature:+150 C
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзисторы U-MOSVI с малым сигналомМОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI с малым сигналом предлагают различные напряжения управления затвором, необходимые для многих различных типов мобильных устройств. Они доступны в одноканальном, двухканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и в версиях с различным напряжением, предоставляя разработчикам широкий спектр возможностей. Каждый полевой МОП-транзистор удовлетворяет потребности в поддержке сильноточной зарядки при низком напряжении и низком значении R DS(on). Компактный корпус и низковольтная работа делают полевые МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI Small Signal идеальным решением для корпусов высокой плотности в смартфонах и игровых консолях.
Основные
вес, г0.01
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Toshiba
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:SSM3J132TU
subcategory:MOSFETs
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
package/case:UFM-3
tradename:U-MOSVI
pd - power dissipation:1 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:5.4 A
qg - gate charge:33 nC
rds on - drain-source resistance:14 mOhms
transistor polarity:P-Channel
transistor type:1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:12 V
vgs - gate-source voltage:-6 V, +6 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
typical turn-off delay time:210 ns
typical turn-on delay time:38 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль