SIZF916DT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAIR-6x5F-8
серияSIZ
время нарастания45 ns, 60 ns
время спада10 ns, 20 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности26.6 W, 60 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки40 A, 60 A
qg - заряд затвора14.6 nC, 62 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток12.7 mOhms, 6.58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel, NPN
тип транзистора2 N-Channel
типичное время задержки выключения20 ns, 45 ns
типичное время задержки при включении17 ns, 30 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль