SIZF300DT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds;16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds;16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAIR3x3-4
серияSIZ
время нарастания40 ns, 53 ns
время спада7 ns, 12 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности74 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки75 A, 141 A
qg - заряд затвора22 nC, 62 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.5 mOhms, 1.84 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V, 1.1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.60 S, 90 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора2 N-Channel
типичное время задержки выключения23 ns, 30 ns
типичное время задержки при включении17 ns, 25 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль