PBSS4120T,215, Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:PBSS4120T,215
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А
Дата загрузки
21.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
Nexperia B.V.
Бренд
Nexperia B.V.
Основные
collector-emitter breakdown voltage
20V
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage
30 V
maximum collector emitter voltage
20 V
maximum dc collector current
1A
maximum emitter base voltage
5 V
maximum operating frequency
100 MHz
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
480 mW
minimum dc current gain
350
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package type
SOT-23(TO-236AB)
партномер
8003310226
pd - power dissipation
480mW
pin count
3
transistor configuration
Single
transistor type
NPN
Время загрузки
14:26:18
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26