SIZ918DT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
520
+
Бонус: 10.4 !
Бонусная программа
Итого: 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAIR-6x5-8
серияSIZ
время нарастания12 ns, 22 ns
время спада10 ns, 10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности29 W, 100 W
другие названия товара №SIZ918DT-GE3
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки16 A, 28 A
qg - заряд затвора14 nC, 67.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток12 mOhms, 3.7 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V, 1.2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.47 S, 116 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора2 N-Channel
типичное время задержки выключения20 ns, 40 ns
типичное время задержки при включении10 ns, 15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль