C3M0065090D, SiC N-Channel MOSFET, 36 A, 900 V, 3-Pin TO-247 C3M0065090D

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: C3M0065090D
MOSFETs
Основные
вес, г4
package / caseTO-247-3
typeSilicon Carbide MOSFET
minimum operating temperature-55 C
3 560
+
Бонус: 71.2 !
Бонусная программа
Итого: 3 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
MOSFETs
Основные
вес, г4
package / caseTO-247-3
typeSilicon Carbide MOSFET
minimum operating temperature-55 C
factory pack quantity30
manufacturerCree, Inc.
maximum operating temperature+150 C
mounting styleThrough Hole
packagingTube
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
subcategoryMOSFETs
configurationSingle
fall time25 ns
rise time36 ns
number of channels1 Channel
Вес и габариты
productPower MOSFET
technologySiC
pd - power dissipation125 W
channel modeEnhancement
rds on - drain-source resistance90 mOhms
transistor polarityN-Channel
vds - drain-source breakdown voltage900 V
vgs - gate-source voltage18 V, -8 V
id - continuous drain current36 A
typical turn-on delay time21 ns
typical turn-off delay time28 ns
forward transconductance - min11.6 S
qg - gate charge30.4 nC
vgs th - gate-source threshold voltage1.8 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль