SIZ342DT-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SIZ342DT-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
Основные
pin count
8
product category
Power MOSFET
automotive
No
eu rohs
Compliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)
150
mounting
Surface Mount
part status
Active
pcb changed
8
ppap
No
supplier package
PowerPAIR EP
eccn (us)
EAR99
maximum power dissipation (mw)
3700
minimum operating temperature (°c)
-55
configuration
Dual
process technology
TrenchFET Gen IV
Вес и габариты
number of elements per chip
2
channel type
N
channel mode
Enhancement
maximum continuous drain current (a)
15.6
maximum drain source resistance (mohm)
11.5 10V
maximum drain source voltage (v)
30
maximum gate source leakage current (na)
100
maximum gate source voltage (v)
20
maximum gate threshold voltage (v)
2.4
maximum idss (ua)
1
typical fall time (ns)
10|7
typical gate charge @ 10v (nc)
10
typical gate charge @ vgs (nc)
4.5 4.5V|10 10V
typical input capacitance @ vds (pf)
650 15V
typical rise time (ns)
15|50
typical turn-off delay time (ns)
17|16
typical turn-on delay time (ns)
15|8
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26