SIR606BDP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 38.7 А, 0.0145 Ом, PowerPAK SO, Surface

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыMarket demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Подробное описание

Основные
вес, г	0.07
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	150 C

Все характеристики

320 ₽

– +

Бонус: 6.4 !

Бонусная программа

Итого: 320 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.07
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	PowerPAK-SO-8
серия	SIR
время нарастания	5 ns
время спада	5 ns
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
количество выводов	8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	62.5 W
количество каналов	1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	62.5Вт
power dissipation	62.5Вт
напряжение истока-стока vds	100В
id - непрерывный ток утечки	38.7 A
qg - заряд затвора	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	14.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N Канал
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	19 ns
типичное время задержки при включении	12 ns
стиль корпуса транзистора	PowerPAK SO
непрерывный ток стока	38.7А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0145Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	4В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0145Ом

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

MSC060SMA070B4, SiC N-Channel MOSFET, 28 A, 700 V, 4-Pin TO-247-4 MSC060SMA070B4

Быстрый просмотр

FF400R17KE4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 400 А, 1.95 В, 150 °C, Mod

Быстрый просмотр

C3M0280090D, Trans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Быстрый просмотр

SIR606BDP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 38.7 А, 0.0145 Ом, PowerPAK SO, Surface

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все