DTC124EET1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DTC124EET1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor DTC124EET1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJTБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.60
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8003271445
pd - рассеивание мощности200 mW (1/5 W)
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияDTC124EE
типичное входное сопротивление22 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-75-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:22:24
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль