Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	1
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	E
количество выводов	3вывод(-ов)

720 ₽

- +

Бонус: 14.4 !

Бонусная программа

Итого: 720 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	1
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	E
количество выводов	3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	208Вт
power dissipation	208Вт
напряжение истока-стока vds	800В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-220AB
непрерывный ток стока	21А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.16Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	4В
drain source on state resistance	0.16Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SIHP24N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 21 А, 0.16 Ом, TO-220AB