Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	1
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	E
количество выводов	3вывод(-ов)

720 ₽

– +

Бонус: 14.4 !

Бонусная программа

Итого: 720 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	1
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	E
количество выводов	3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	208Вт
power dissipation	208Вт
напряжение истока-стока vds	800В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-220AB
непрерывный ток стока	21А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.16Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	4В
drain source on state resistance	0.16Ом

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SIHP24N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 21 А, 0.16 Ом, TO-220AB