SIHH100N60E-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V Vds; 30V Vgs PowerPAK 8x8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
2 150
+
Бонус: 43 !
Бонусная программа
Итого: 2 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V Vds; 30V Vgs PowerPAK 8x8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-4
серияE
время нарастания54 ns
время спада41 ns
pd - рассеивание мощности174 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки28 A
qg - заряд затвора53 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток100 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.12 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения41 ns
типичное время задержки при включении26 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль