Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETРешения для промышленного электропитанияVishay предлагает один из самых широких в отрасли наборов полупроводниковых и пассивных компонентов для промышленных источников питания. Ассортимент продукции Vishay для промышленных источников питания включает силовые МОП-транзисторы, силовые ИС, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Подробное описание

Основные
вес, г	4
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

990 ₽

– +

Бонус: 19.8 !

Бонусная программа

Итого: 990 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	4
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
supplier device package	DВІPAK (TO-263)
base product number	SIHB20 ->
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000
manufacturer:	Vishay
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
series:	E
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Bulk
Вес и габариты
package/case:	TO-263-3
pd - power dissipation:	179 W
technology	MOSFET (Metal Oxide)
number of channels:	1 Channel
technology:	Si
configuration:	Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c	19A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	500V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	92nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	1640pF @ 100V
power dissipation (max)	179W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	184mOhm @ 10A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 250ВµA
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	19 A
qg - gate charge:	46 nC
rds on - drain-source resistance:	184 mOhms
transistor polarity:	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	550 V
vgs - gate-source voltage:	-30 V, +30 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	4 V
typical turn-off delay time:	48 ns
typical turn-on delay time:	17 ns
fall time:	25 ns
rise time:	27 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]

Быстрый просмотр

BCX5610H6327, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT89

Быстрый просмотр

SIHB20N50E-GE3, MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все