SIHB15N60E-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вес, г1.438
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
960
+
Бонус: 19.2 !
Бонусная программа
Итого: 960
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вес, г1.438
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-263-3
серияE
время нарастания26 ns
время спада22 ns
pd - рассеивание мощности180 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки15 A
qg - заряд затвора39 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток280 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения41 ns
типичное время задержки при включении16 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль