SiHA186N60EF-GE3, N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V, 3-Pin TO-220 SiHA186N60EF-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SiHA186N60EF-GE3
N-канал, 600 В, 8,4 А (Tc), 156 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220, полный комплект
Основные
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал, 600 В, 8,4 А (Tc), 156 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220, полный комплект
Основные
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220 Full Pack
seriesEF ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c8.4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs32nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1081pF @ 100V
power dissipation (max)156W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs193mOhm @ 9.5A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль