Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
Высота | 1.6 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | NXP Semiconductor |
Бренд | NXP Semiconductor |
Основные | |
частота перехода ft | 145МГц |
collector- base voltage vcbo | 60 V |
collector emitter voltage max | 60В |
collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 1А |
dc collector/base gain hfe min | 63 at 150 mA at 2 V |
dc current gain hfe max | 63 at 150 mA at 2 V |
dc current gain hfe min | 63hFE |
dc усиление тока hfe | 63hFE |
длина | 4.6 mm |
другие названия товара № | 9,33663E+11 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
factory pack quantity | 1000 |
gain bandwidth product ft | 145 MHz |
height | 1.6 mm |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 63 at 150 mA, 2 V |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V |
конфигурация | Single |
квалификация | AEC-Q101 |
length | 4.6 mm |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
manufacturer | Nexperia |
maximum collector base voltage | -60 V |
maximum collector emitter voltage | -60 V |
maximum dc collector current | 1 A |
maximum emitter base voltage | -5 V |
maximum operating frequency | 145 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum power dissipation | 1.35 W |
минимальная рабочая температура | 65 C |
minimum dc current gain | 63 |
minimum operating temperature | -65 C |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
number of elements per chip | 1 |
package / case | SOT-89-3 |
package type | SOT-89 |
packaging | Reel |
партномер | 8017195908 |
part # aliases | BCX52-10 T/R |
pd - power dissipation | 1300 mW |
pd - рассеивание мощности | 1300 mW |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
power dissipation | 500мВт |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 145 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
rohs | Details |
серия | BCX52 |
стиль корпуса транзистора | SOT-89 |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Nexperia |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | PNP |
transistor type | PNP |
упаковка / блок | SOT-89-3 |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 1:25:19 |
Ширина | 2.6 мм |
width | 2.6 mm |