SIDR870ADP-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
620
+
Бонус: 12.4 !
Бонусная программа
Итого: 620
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокSO-8
серияSID
время нарастания15 ns
время спада9 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
количество выводов8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности125 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность125Вт
power dissipation125Вт
напряжение истока-стока vds100В
id - непрерывный ток утечки95 A
qg - заряд затвора25.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток10.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.68 S
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения33 ns
типичное время задержки при включении17 ns
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока95А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0055Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0055Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль