2N5195G, Тиристор TO-225
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5195G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin (3 Tab) TO-225 Box
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo: | 80 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 1.4 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 80 V |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 4 A |
| dc collector/base gain hfe min: | 20 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 5 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 500 |
| gain bandwidth product ft: | 2 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Through Hole |
| manufacturer: | onsemi |
| material | Si |
| maximum collector base voltage | 80 V |
| maximum collector base voltage (v) | 80 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100000 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.6 0.15A 1.5A|1.4 1A 4A |
| maximum collector emitter voltage | 80 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
| maximum dc collector current | 4 A |
| maximum dc collector current: | 4 A |
| maximum dc collector current (a) | 4 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating frequency | 1 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 40 W |
| maximum power dissipation (mw) | 40000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 2(Min) |
| minimum dc current gain | 20 1.5A 2V|10 4A 2V |
| minimum operating temperature: | -65 C |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| package/case: | TO-225-3 |
| package type | TO-225AA |
| packaging | Box |
| packaging: | Bulk |
| партномер | 8020562793 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 40 W |
| pin count | 3 |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series: | 2N5195 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | TO-225 |
| tab | Tab |
| technology: | Si |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity: | PNP |
| transistor type | PNP |
| type | PNP |
| Время загрузки | 0:58:06 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
