SI9933CDY-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 4 А, 0.048 Ом, SOIC, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI9933CDY-T1-E3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs SO-8
Основные
вес, г
0.113
вид монтажа
SMD/SMT
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
50 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
2500
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay / Siliconix
упаковка / блок
SO-8
серия
SI9
время нарастания
50 ns
время спада
13 ns
коммерческое обозначение
TrenchFET
pd - рассеивание мощности
3.1 W
другие названия товара №
SI9933CDY-E3
количество каналов
2 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Dual
id - непрерывный ток утечки
4 A
qg - заряд затвора
26 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
vgs - напряжение затвор-исток
12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
600 mV
канальный режим
Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
11 S
полярность транзистора
P-Channel
тип транзистора
2 P-Channel
типичное время задержки выключения
29 ns
типичное время задержки при включении
21 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26