SI5504BDC-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
Основные
вес, г0.085
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
Основные
вес, г0.085
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокChipFET-8
серияSI54
длина3.05 mm
время нарастания80 ns, 60 ns
время спада25 ns, 10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности3.12 W, 3.1 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки4 A, 3.7 A
qg - заряд затвора7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms, 140 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5 S, 3.5 S
полярность транзистораN-Channel, P-Channel
тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel
типичное время задержки выключения12 ns, 10 ns
типичное время задержки при включении15 ns, 30 ns
Высота 1.1 мм
Ширина1.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль