МОП-транзистор 20V 6.2A 2W

Подробное описание

Основные
вес, г	2.27
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

370 ₽

– +

Бонус: 7.4 !

Бонусная программа

Итого: 370 ₽

Купить

МОП-транзистор 20V 6.2A 2W

Основные
вес, г	2.27
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	SO-8
серия	SI4
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	2 W
другие названия товара №	SI4963BDY-E3
количество каналов	2 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Dual
id - непрерывный ток утечки	6.5 A
qg - заряд затвора	21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	50 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	P-Channel

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

SI4963BDY-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 4.9 А, 0.025 Ом, SOIC, Surface Mount