SI3421DV-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTSOP-6
серияSI3
время нарастания9 ns
время спада13 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности4.2 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора46 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток19.2 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.30 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения55 ns
типичное время задержки при включении7 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль