SI2312BDS-T1-E3, Диодно-тиристорный модуль

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI2312BDS-T1-E3
МОП-транзистор N-Channel 20V 3.9A
Основные
вес, г0.05
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
33
+
Бонус: 0.66 !
Бонусная программа
Итого: 33
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Channel 20V 3.9A
Основные
вес, г0.05
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSOT-23-3
серияSI2
длина2.9 mm
время нарастания30 ns
время спада10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности1.25 W
другие названия товара №SI2312BDS-E3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки5 A
qg - заряд затвора12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток31 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток450 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.30 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения35 ns
типичное время задержки при включении9 ns
Высота 1.45 мм
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль