SI8499DB-T2-E1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
Основные
вес, г0.12
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
Основные
вес, г0.12
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокMicroFoot-6
серияSI8
время нарастания25 ns
время спада30 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности13 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки16 A
qg - заряд затвора30 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток26 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.10 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения50 ns
типичное время задержки при включении20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль