SI1021R-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 190 мА, 4 Ом, SOT-416, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI1021R-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
Основные
вес, г0.5
pin count3
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
Основные
вес, г0.5
pin count3
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed3
ppapNo
standard package nameSC
supplier packageSC-75A
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)250
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
process technologyTrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeP
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)0.19
maximum drain source resistance (mohm)4000 10V
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source leakage current (na)10000
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)3
maximum idss (ua)0.025
typical gate charge @ vgs (nc)1.7 15V
typical input capacitance @ vds (pf)23 25V
rds on - drain-source resistance4О© @ 500mA,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
vgs - gate-source voltage3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c190mA
power dissipation-max (ta=25в°c)250mW
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль