Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V

Подробное описание

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.03
категория продукта	МОП-транзистор
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
серия	SI1
коммерческое обозначение	TrenchFET
pin count	3
packaging	Tape and Reel
product category	Power MOSFET
другие названия товара №	SI1013X-GE3
automotive	No
eu rohs	Compliant
maximum operating temperature (°c)	150
mounting	Surface Mount
part status	NRND
pcb changed	3
standard package name	SC
supplier package	SC-89
eccn (us)	EAR99
maximum power dissipation (mw)	275
minimum operating temperature (°c)	-55
configuration	Single
package height	0.8(Max)
package length	1.7(Max)
package width	0.95(Max)
process technology	TrenchFET
Вес и габариты
технология	Si
number of elements per chip	1
channel type	P
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	0.35
maximum drain source resistance (mohm)	1200@4.5V
maximum drain source voltage (v)	20
maximum gate source voltage (v)	±6
typical fall time (ns)	11
typical gate charge @ vgs (nc)	1500@4.5V
typical rise time (ns)	9
typical turn-off delay time (ns)	35
typical turn-on delay time (ns)	5
military	No

Отзывов нет

Кнопки