IRFR9110TRPBF, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 100 В, 3.1 А, 1.2 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFR9110TRPBF
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыP-канал 100 В, 3,1 А (Tc) 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc) D-Pak для поверхностного монтажа
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыP-канал 100 В, 3,1 А (Tc) 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc) D-Pak для поверхностного монтажа
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageD-Pak
pin count3
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed2
ppapNo
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
base product numberIRFR9110 ->
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)2500
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeP
technologyMOSFET (Metal Oxide)
tabTab
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)3.1
maximum drain source resistance (mohm)1200 10V
maximum drain source voltage (v)100
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)4
maximum idss (ua)100
typical fall time (ns)17
typical gate charge @ 10v (nc)8.7(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)8.7(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf)200 25V
typical rise time (ns)27
typical turn-off delay time (ns)15
typical turn-on delay time (ns)10
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.1A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs8.7nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds200pF @ 25V
power dissipation (max)2.5W (Ta), 25W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1.2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль