IRFIBE30GPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220F, инфо: Транзистор полевой N-канальный 800В 2.1AМОП-транзистор N-Chan 800V 2.1 Amp
Основные
вес, г2.97
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220F, инфо: Транзистор полевой N-канальный 800В 2.1AМОП-транзистор N-Chan 800V 2.1 Amp
Основные
вес, г2.97
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs statusROHS3 Compliant
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFIBE
supplier device packageTO-220-3
base product numberIRFIBE30 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c2.1A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs78nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1300pF @ 25V
power dissipation (max)35W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3Ohm @ 1.3A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль