IRFI634GPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 250V 5.6 Amp
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
720
+
Бонус: 14.4 !
Бонусная программа
Итого: 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 250V 5.6 Amp
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFI
supplier device packageTO-220-3
длина10.41 mm
base product numberIRFI634 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c5.6A (Tc)
drain to source voltage (vdss)250V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs41nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds770pF @ 25V
power dissipation (max)35W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs450mOhm @ 3.4A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Высота 15.49 мм
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль