IRF840LCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, Idm: 5,1А, 125Вт, TO220AB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF840LCPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
| Информация о производителе | |
| Производитель | Vishay |
| Основные | |
| вес, г | 2 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Tube |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | IRF |
| supplier device package | TO-220AB |
| длина | 10.41мм |
| тип корпуса | TO-220AB |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| число контактов | 3 |
| размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм |
| base product number | IRF840 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| количество элементов на ис | 1 |
| максимальное рассеяние мощности | 125 W |
| тип канала | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| other related documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| transistor configuration | Одинарный |
| типичное время задержки выключения | 27 нс |
| максимальное сопротивление сток-исток | 850 mΩ |
| максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| максимальное напряжение сток-исток | 500 V |
| типичный заряд затвора при vgs | 39 нКл при 10 В |
| номер канала | Поднятие |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 8A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 500V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 39nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1100pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 125W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| максимальный непрерывный ток стока | 8 A |
| материал транзистора | Кремний |
| типичное время задержки включения | 12 нс |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| типичная входная емкость при vds | 1100 pF @ 25 V |
| Высота | 9.01 мм |
| Ширина | 4.7 м |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![BCX52, Транзистор PNP 60В 1А HFE=63…250 0.5Вт [SOT-89]](/wa-data/public/shop/products/04/75/297504/images/345814/345814.300x0.jpg "BCX52, Транзистор PNP 60В 1А HFE=63…250 0.5Вт [SOT-89]")
![ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3]](/wa-data/public/shop/products/66/05/190566/images/225825/225825.300x0.jpg "ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3]")
![2SC3355, Транзистор NPN 12 В 0.1 А [TO-92]](/wa-data/public/shop/products/40/66/186640/images/222557/222557.300x0.jpg "2SC3355, Транзистор NPN 12 В 0.1 А [TO-92]")
