Name: CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; 375Вт; D2PAK
SKU: CSD19536KTTT

CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; 375Вт; D2PAK

Подробное описание

1 170 ₽

– +

Бонус: 23.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 170 ₽

Купить

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Вес и габариты
вес, г	1
Основные
channel mode	Enhancement
channel type	N
forward diode voltage	1.1V
height	4.83mm
length	10.67mm
maximum continuous drain current	272 A
maximum drain source resistance	2.8 mΩ
maximum drain source voltage	100 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum operating temperature	+175 °C
maximum power dissipation	375 W
minimum operating temperature	-55 °C
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package type	D2PAK (TO-263)
pin count	3
series	NexFET
transistor configuration	Single
transistor material	Si
typical gate charge @ vgs	118 nC @ 0 V
width	9.65mm

Отзывов нет

Кнопки