IRF830PBF-BE3, Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF830PBF-BE3
N-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 74 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB
Основные
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 74 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB
Основные
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220AB
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c4.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs38nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds610pF @ 25V
power dissipation (max)74W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1.5Ohm @ 2.7A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль