CSD87384MT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Sync Buck NexFET Pwr Block II
Основные
вес, г0.0716
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
720
+
Бонус: 14.4 !
Бонусная программа
Итого: 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Sync Buck NexFET Pwr Block II
Основные
вес, г0.0716
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case5-LGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки250
тип продуктаMOSFET
торговая маркаTexas Instruments
упаковка / блокPTAB-5
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияCSD87384M
reach statusREACH Unaffected
supplier device package5-PTAB (5x3.5)
длина5 mm
время нарастания56 ns, 49 ns
время спада7.6 ns, 8.2 ns
коммерческое обозначениеNexFET
seriesNexFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности8 W
количество каналов2 Channel
base product numberCSD87384 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
manufacturer product pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки30 A
qg - заряд затвора9.2 nC, 40 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток6.4 mOhms, 1.95 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.9 V, 1.7 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.67 S, 240 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора2 N-Channel
типичное время задержки выключения14 ns, 29 ns
типичное время задержки при включении8.7 ns, 17.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c30A
drain to source voltage (vdss)30V
fet type2 N-Channel (Half Bridge)
gate charge (qg) (max) @ vgs9.2nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1150pF @ 15V
rds on (max) @ id, vgs7.7mOhm @ 25A, 8V
vgs(th) (max) @ id1.9V @ 250ВµA
power - max8W
fet featureLogic Level Gate
Высота 0.45 мм
ТипSynchronous Buck NexFET Power Stage
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль