CSD87333Q3DT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet 2, N-канал (двойной), асимметричный, 30 В, 15 А, 6 Вт, для поверхностного монтажа, 8-VSON (3,3x3,3)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature125В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
520
+
Бонус: 10.4 !
Бонусная программа
Итого: 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet 2, N-канал (двойной), асимметричный, 30 В, 15 А, 6 Вт, для поверхностного монтажа, 8-VSON (3,3x3,3)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature125В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-PowerTDFN
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Affected
supplier device package8-VSON (3.3x3.3)
seriesNexFETв„ў ->
base product numberCSD87333Q3 ->
Вес и габариты
manufacturer product pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
current - continuous drain (id) @ 25в°c15A
drain to source voltage (vdss)30V
fet type2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
gate charge (qg) (max) @ vgs4.6nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds662pF @ 15V
rds on (max) @ id, vgs14.3mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (max) @ id1.2V @ 250ВµA
power - max6W
fet featureLogic Level Gate, 5V Drive
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль