2N5152, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5152
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N5152, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
9 210
+
Бонус: 184.2 !
Бонусная программа
Итого: 9 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.90 at 2.5 A, 5 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 2.5 A, 5 VDC
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер750 mV
партномер8004809144
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки100
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-39-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:23:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль