CSD75208W1015T
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet 2, P-канал (двойной), общий источник, 20 В, 1,6 А, 750 мВт, поверхностный монтаж, 6-DSBGA
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 6-UFBGA, DSBGA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 250 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Texas Instruments |
| упаковка / блок | DSBGA-6 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | CSD75208W1015 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | 6-DSBGA |
| длина | 1.5 mm |
| время нарастания | 5 ns |
| время спада | 11 ns |
| коммерческое обозначение | NexFET |
| series | NexFETв„ў -> |
| pd - рассеивание мощности | 750 mW |
| количество каналов | 2 Channel |
| base product number | CSD75208W1015 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Dual |
| manufacturer product page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| qg - заряд затвора | 1.9 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms, 285 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, + 6 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | P-Channel |
| тип транзистора | 2 P-Channel |
| типичное время задержки выключения | 29 ns |
| типичное время задержки при включении | 9 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.6A |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| fet type | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 410pF @ 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 68mOhm @ 1A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.1V @ 250ВµA |
| power - max | 750mW |
| fet feature | Logic Level Gate |
| Высота | 0.625 мм |
| Ширина | 1 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
