CSD17308Q3T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 50А, 28Вт, NexFET™

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CSD17308Q3T
N-канал 30 В, 14 А (Ta), 44 А (Tc) 2,7 Вт (Ta), 28 Вт (Tc) Поверхностный монтаж 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Основные
вес, г0.07
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 30 В, 14 А (Ta), 44 А (Tc) 2,7 Вт (Ta), 28 Вт (Tc) Поверхностный монтаж 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Основные
вес, г0.07
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-PowerTDFN
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Affected
supplier device package8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
seriesNexFETв„ў ->
base product numberCSD17308 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
current - continuous drain (id) @ 25в°c14A (Ta), 44A (Tc)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)3V, 8V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs5.1nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds700pF @ 15V
power dissipation (max)2.7W (Ta), 28W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs10.3mOhm @ 10A, 8V
vgs (max)+10V, -8V
vgs(th) (max) @ id1.8V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль