CSD13302WT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 12 В 1,6 A (Ta) 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж 4-DSBGA (1x1)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 12 В 1,6 A (Ta) 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж 4-DSBGA (1x1)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case4-UFBGA, DSBGA
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device package4-DSBGA (1x1)
seriesNexFETв„ў ->
base product numberCSD13302 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.6A (Ta)
drain to source voltage (vdss)12V
drive voltage (max rds on, min rds on)2.5V, 4.5V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs7.8nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds862pF @ 6V
power dissipation (max)1.8W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs17.1mOhm @ 1A, 4.5V
vgs (max)В±10V
vgs(th) (max) @ id1.3V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль