IRFBE30LPBF, MOSFET IRFBE30LPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFBE30LPBF
N-канал 800 В, 4,1 А (Tc) 125 Вт (Tc), сквозное отверстие I2PAK
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
610
+
Бонус: 12.2 !
Бонусная программа
Итого: 610
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 800 В, 4,1 А (Tc) 125 Вт (Tc), сквозное отверстие I2PAK
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageI2PAK
base product numberIRFBE30 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c4.1A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs78nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1300pF @ 25V
power dissipation (max)125W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль