ZXTN2010G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN2010G
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1.6W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):30mV; Current Ic Continuous a Max:6A; Gain Bandwidth ft Typ:130MHz; Hfe Min:100; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo150 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current6 A
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft130 MHz
height1.65 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length6.7 mm(Max)
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current6 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-223-4
packagingReel
партномер8002007566
pd - power dissipation3 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesZXTN2010
transistor polarityNPN
Время загрузки0:10:14
width3.7 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль