SIA447DJ-T1-GE3, P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET 27AK1001

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIA447DJ-T1-GE3
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Vishay SIA447DJ-T1-GE3, P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, гянв.59
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
БрендVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Разные Транзисторы
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, гянв.59
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
БрендVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Основные
channel modeEnhancement
channel typeP
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum continuous drain current12:00 AM
maximum drain source resistance71 mΩ
maximum drain source voltage12 V
maximum gate source voltage-8 V, +8 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation19 W
minimum gate threshold voltage0.4V
minimum operating temperature-55 °C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typePowerPAK SC-70
партномер8014848278
pin count6
seriesTrenchFET
transistor configurationSingle
transistor materialSi
typical gate charge @ vgs52 nC @ 8 V
Время загрузки23:11:08
width1.7mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль