NSS40300DDR2G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS40300DDR2G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250 at 10 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.135 V
непрерывный коллекторный ток3 A
партномер8008458670
pd - рассеивание мощности783 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки2500
серияNSS40300DD
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOIC-Narrow-8
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:49:06
Ширина4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль