| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.6 |
| Высота | 2.38 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 70 V |
| collector-emitter saturation voltage | 1.1 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 10 A |
| dc collector/base gain hfe min | 20 |
| длина | 6.73 mm |
| eccn (us) | ear99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity | 75 |
| gain bandwidth product ft | 2 MHz |
| height | 2.38 mm |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| length | 6.73 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum collector base voltage (v) | 70 |
| maximum collector cut-off current (na) | 20000 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 8@3.3A@10A|1.1@0.4A@4A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 60 |
| maximum dc collector current | 10 A |
| maximum dc collector current (a) | 10 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 1750 |
| maximum transition frequency (mhz) | 2(Min) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 20@4A@4V|5@10A@4V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | surface mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 70 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
| непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-252-3 |
| package height | 2.38(Max) |
| package length | 6.73(Max) |
| package width | 6.22(Max) |
| packaging | Tube |
| партномер | 8003035478 |
| part status | active |
| pcb changed | 2 |
| pd - power dissipation | 20 W |
| pd - рассеивание мощности | 20 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 2 MHz |
| размер фабричной упаковки | 75 |
| rohs | Details |
| series | MJD2955 |
| серия | MJD2955 |
| standard package name | TO-252 |
| supplier package | DPAK |
| supplier temperature grade | Automotive |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor polarity | PNP |
| type | PNP |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:02:02 |
| Ширина | 6.22 мм |
| width | 6.22 mm |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
