2DD2652-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VSAT NPN SMT 3K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2DD2652-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes 2DD2652-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VSAT ...
Diodes Incorporated
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.005
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDiodes Incorporated
79
+
Бонус: 1.58 !
Бонусная программа
Итого: 79
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT LOW VSAT NPN SMT 3K
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.005
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDiodes Incorporated
БрендDIODES INC.
Основные
base product number2DD2652 ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1.5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce270 @ 200mA, 2V
длина2.15 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition260MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.270 at 200 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)270 at 200 mA, 2 V
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
maximum collector base voltage (v)15
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2 25ma 500ma
maximum collector-emitter voltage (v)12
maximum dc collector current (a)01.05.2024
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)500
maximum transition frequency (mhz)260(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain270 200ma 2v
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)15 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
packagingTape and Reel
партномер8005474816
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max300mW
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)260 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серия2DD2
standard package nameSOT-323
supplier device packageSOT-323
supplier packageSOT-323
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 25mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)12V
Время загрузки22:21:37
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль