2DD1766R-13, Транзистор NPN, биполярный, 32В, 2А, 1Вт, SOT89

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2DD1766R-13
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT 1000W 32Vceo
Diodes Incorporated
Основные
ПроизводительDiodes Incorporated
Вес и габариты
длина4.5 mm
Высота 1.5 мм
30
+
Бонус: 0.6 !
Бонусная программа
Итого: 30
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT 1000W 32Vceo
Основные
ПроизводительDiodes Incorporated
Вес и габариты
длина4.5 mm
Высота 1.5 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180 at 500 mA, 3 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.32 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер800 mV
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)220 MHz
размер фабричной упаковки2500
серия2DD17
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вес, г0.08
вид монтажаSMD/SMT
Ширина2.48 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль