2DD1664Q-13, Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2DD1664Q-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes 2DD1664Q-13, Bipolar Transistors - BJT 1000W ...
Diodes Incorporated
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDiodes Incorporated
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1000W 32Vceo
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDiodes Incorporated
БрендDIODES INC.
Основные
длина4.5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.32 V
партномер8006373558
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)280 MHz
размер фабричной упаковки2500
серия2DD16
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:21:39
Ширина2.48 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль