2DC2412R-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 50V NPN SMT
Diodes Incorporated
Основные
ПроизводительDiodes Incorporated
Вес и габариты
длина3 mm
Высота 1.1 мм
88
+
Бонус: 1.76 !
Бонусная программа
Итого: 88
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 50V NPN SMT
Основные
ПроизводительDiodes Incorporated
Вес и габариты
длина3 mm
Высота 1.1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.180 at 1 mA at 6 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180 at 1 mA at 6 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.15 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки3000
серия2DC24
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаReel
упаковка / блокSOT-23-3
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль