2DB1386R-13, Bipolar Transistors - BJT PNP 2.5K BIPOLAR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2DB1386R-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes 2DB1386R-13, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Diodes Incorporated
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1305
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDiodes Incorporated
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1305
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDiodes Incorporated
БрендDIODES INC.
Основные
длина4.5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.180 at 0.5 A at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180 at 500 mA, 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
партномер8004612900
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки2500
серия2DB13
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:10:06
Ширина2.48 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль