Name: 2DB1386Q-13
Brand: Diodes Incorporated

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1000W -20Vceo

Подробное описание

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Основные
Производитель	Diodes Incorporated
Вес и габариты
длина	4.5 mm
Высота	1.5 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	20 V
pd - рассеивание мощности	1000 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	2500
серия	2DB13
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-89-3
вес, г	0.052
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	2.48 мм

Отзывов нет

Кнопки