Электронные компоненты RGTH00TS65DGC11 купить в наличии в интернет-магазине ООО «Телеметрия»

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Траншейные IGBT с полевым затвором ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.

Основные
вес, г	38
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-3
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-247N
base product number	RGTH00 ->
input type	Standard
вид монтажа:	Through Hole
диапазон рабочих температур:	-40 C to+175 C
максимальная рабочая температура:	+175 C
минимальная рабочая температура:	-40 C
подкатегория:	IGBTs
производитель:	ROHM Semiconductor
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	450
серия:	RGTH00TS65
тип продукта:	IGBT Transistors
торговая марка:	ROHM Semiconductor
упаковка:	Tube
другие названия товара №:	RGTH00TS65D
упаковка / блок:	TO-247-3
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:	277 W
simulation models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
other related documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn
технология:	Si
current - collector (ic) (max)	85A
current - collector pulsed (icm)	200A
gate charge	94nC
igbt type	Trench Field Stop
power - max	277W
td (on/off) @ 25в°c	39ns/143ns
vce(on) (max) @ vge, ic	2.1V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V
test condition	400V, 50A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)	54ns
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	650 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:	30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:	85 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.:	85 A
ток утечки затвор-эмиттер:	+/-200 nA
непрерывный коллекторный ток:	50 A

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]

Быстрый просмотр

BCW60C.215, Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,1А, 250мВт, SOT23

Быстрый просмотр

MMUN2213LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 47кОм

Быстрый просмотр

RGTH00TS65DGC11

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все