IXFX100N65X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 100А, 1040Вт, PLUS247™, 200нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFX100N65X2
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор МОП-транзистор 650V/100A Ultra Junction X2
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
3 740
+
Бонус: 74.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор МОП-транзистор 650V/100A Ultra Junction X2
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серия650V Ultra Junction X2
время нарастания24 ns
время спада7 ns
коммерческое обозначениеHiPerFET
pd - рассеивание мощности1.04 kW
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки100 A
qg - заряд затвора180 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток30 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.7 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.40 S
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения83 ns
типичное время задержки при включении59 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль